Характеристика в пдн: Характеристика на ребенка в пдн

Закон не обязывает гражданина предоставлять в различных ситуациях характеризующие материалы от соседей. Однако зачастую возникает такая потребность.

Для изучения информации о подсудимом, обвиняемом, осужденном, о подопечном или соискателе, потребуется максимальная информация. Мнение соседей в такой ситуации может отказать не последнее значение.

Характеристика составляется в письменной форме. Документ подписывается всеми собственниками многоквартирного дома, в котором проживает гражданин.

Если лицо проживает в частном доме, то целесообразно получить данные от жильцов соседних домов.

Важно! Номера квартир соседей и другую персональную информацию указывать не требуется.

Образцы характеристик

Обязательным условием при составлении характеристики является заверка документа в управляющей компании или ЖЭК. Также правом заверки наделяется председатель правления ТЖС.

Документ наделяется силой только после проставления подписи руководителя и печати организации.

в суд

Документ оформляется на имя конкретного судьи или просто с указанием наименования суда.

В характеристике от соседей в суд необходимо указать:

• возникали ли с соседом конфликты;
• вызывали ли полицию в связи с его противоправным поведением;
• осуществлял ли сосед незаконный захват общедомового имущества;
• участвует ли гражданин в общественной жизни;
• присутствует ли он на собраниях дома или подъезда;
• принимает ли участие в благоустройстве придомовой территории и подъезда;
• указывается семейное положение гражданина и особенности его семейной жизни.

Образец характеристики в суд

в полицию

Характеризующие материалы в полицию могут понадобится на этапе следственных действий. Пока гражданин еще не получил статус подозреваемого или обвиняемого, он может предоставить о себе полную информацию.

Данные сведения могут сыграть особое значение для выбора меры пресечения. Например, при решении о домашнем аресте или заключении под стражу.

В судебной практике встречались случаи, когда характеризующие сведения принимались во внимание для выбора меры пресечения.

В данном виде характеристики необходимо дополнительно акцентировать внимание на наличии крепких семейных связей. Документ оформляется на имя начальника полиции.

Образец характеристики в полицию

в военкомат

Характеризующие сведения в военкомат необходимы как для призывников, так и для призыва по контракту. Характеристика может понадобится, если призывник не желает проходить срочную службу в общем порядке. Например, для лиц, которые желают пройти альтернативную военную службу.

для опеки

Характеризующие материалы в отдел опеки может понадобится по ряду причин:

• в случае, если семья желает принять ребенка на воспитание;
• в случае, если гражданин хочет усыновить подростка, но отдел опеки отказывает по уважительной причине;
• в случае, если решается вопрос о лишении матери и отца родительских прав;
• в случае, если семья воспитывает подопечного ребенка;
• в ситуации, когда кровный ребенок совершил преступление или правонарушение.

Пример. Гражданка Р. решила принять под опеку несовершеннолетнего племянника. Но 15 лет назад женщина привлеклась к ответственности за хранение наркотических средств. Отдел опеки отказал в выдаче заключения. Но гражданка Р. обратилась в суд и представила характеризующие материалы от участкового, от терапевта, от жильцов дома, справки из наркологического диспансера. Сведения подтвердили, что женщина не употребляет наркотические средства, на учете в наркологическом диспансере не состоит. Соседи ее характеризуют положительно. Жалобы на нее не поступали.

Образец характеристики в отдел опеки

на работу

Одним из вариантов характеристик на человека является материалы для трудоустройства. Написать документ может как сам соискатель (и подписать у соседей), так и обратиться к председателю совета дома.

На практике такой документ требуется крайне редко. Но работодатель может запросить сведения, если работа связана с особыми социальными вопросами.

Как правило характеристика на работу требуется в случае неправомерного увольнения. Таким образом гражданин может доказать суду свою законопослушность.

для УДО

Характеризующие материалы на осужденного зачастую требуются для оформления условно-досрочного освобождения. При подаче в суд ходатайства положительную роль сыграет хорошая характеристика.

Последствия для соседей

Как правило, характеризующая информация с места жительства запрашивается в случае серьезной необходимости. Поэтому необходимо соблюдать следующие правила:

1. Уточнить для кого с и с какой целью требуется документ.
2. Ознакомится с информацией в характеристике.
3. Нельзя подписывать чистый лист.
4. Подписывайте информацию, только при полном согласии с перечисленными данными.

Важно! При оформлении характеристики для суда или полиции, гражданин может быть приглашен в суд для дачи объяснения. И лицо, подписавшее документ, будет обязано явиться и подтвердить.

Характеризующие сведения с места жительства требуются только в крайней ситуации. Информация потребуется в полицию, в суд, в отдел опеки. Документ не имеет решающего значения. Он рассматривается в совокупности с другими сведениями. В случае возникновения сложностей с оформлением документа, необходимо получить поддержку юриста. Специалисты сайта окажут вам помощь в режиме онлайн.

• В связи с постоянным изменением законодательства, подзаконных актов и судебной практики, порой мы не успеваем обновлять информацию на сайте
• Ваша юридическая проблема в 90% случаев индивидуальна, поэтому самостоятельная защита прав и базовые варианты решения ситуации зачастую могут не подходить и приведут лишь к усложнению процесса!

Поэтому обратитесь к нашему юристу за БЕСПЛАТНОЙ консультацией прямо сейчас и избавьтесь от проблем в дальнейшем!

Автор статьи

Юрист по семейному праву. Стаж с 2010 года.

Задайте вопрос эксперту-юристу бесплатно!

Задайте юридический вопрос и получите бесплатную
консультацию. Мы подготовим ответ в течение 5 минут!

Конфиденциально

Все данные будут переданы по защищенному каналу

Оперативно

Заполните форму, и уже через 5 минут с вами свяжется юрист

Сохраните ссылку или поделитесь с друзьями

Оцените статью

Общие сведения об импедансе PDN и стабильной подаче питания | Блог Advanced PCB Design

Ключевые выводы

• Все конструкции печатных плат требуют почти нулевого импеданса PDN для обеспечения стабильной подачи питания и низких потерь мощности.

• На импеданс

  PDN влияет множество факторов, включая структуру и паразитные характеристики различных элементов схемы.

• Импеданс

  PDN можно оценить с двух точек зрения: решатели поля и имитаторы схем.

Эта батарея конденсаторов является важной частью импеданса PDN

Каждый PDN имеет импеданс, как резистивный, так и емкостный компоненты. В отличие от обычных элементов схемы, не существует специальной формулы, которая могла бы использоваться для расчета импеданса PDN. Система слишком сложна и не может быть обработана уравнениями в замкнутой форме. Несмотря на то, что импеданс PDN трудно рассчитать и не может быть получен из большинства приложений для проектирования печатных плат, очень важно обеспечить низкий импеданс PDN во многих цифровых системах.

Хотя вы можете не осознавать этого, пока не пройдете испытания на ЭМС или не заметите сбой периферийных устройств во время работы, простые устройства могут демонстрировать те же проблемы целостности питания, что и узкоспециализированные быстрые цифровые схемы. Проблема возникает из-за времени нарастания сигналов в этих системах, а не из-за тактовой частоты или сопротивления постоянному току. Лучшие инструменты проектирования могут помочь вам понять, как такие вещи, как расположение плоскостей и разделительные конденсаторы, влияют на импеданс PDN, когда вы работаете над проверкой своей конструкции.

Что такое импеданс PDN?

Каждая электронная система имеет PDN, что означает «сеть доставки электроэнергии». Это в основном каждый элемент, который подключен к шине напряжения и заземления, включая схему питания и заземления, любые шины, которые соединяются от плоскостей к группам компонентов, разделительные конденсаторы, используемые для стабильности питания, и любые другие медные элементы, которые подключаются или соединяются с ними. основные силовые шины в конструкции. Паразиты также составляют импеданс PDN, например паразитная емкость и индуктивность в любых соединениях с ИС.

В частности, есть несколько паразитных элементов, которые очень важны для определения импеданса PDN:

• Плоская емкость — емкость между плоскими слоями в PDN.
• Индуктивность конденсатора — выводы конденсаторов имеют некоторую паразитную индуктивность, что приводит к их собственному резонансу.
• Индуктивность трассы — трассы, которые подают питание на компоненты, также вносят некоторую индуктивность в PDN.

В дополнение к паразитным элементам в PDN постоянного тока используются конденсаторы, которые помогают стабилизировать мощность путем шунтирования высокочастотных шумовых токов на землю.К сожалению, конденсаторы не действуют как теоретически совершенные конденсаторы, которые вы найдете в учебниках, и они имеют паразитную индуктивность, упомянутую выше. Эти эффекты имеют значение, когда мы рассматриваем переходную реакцию PDN на импульс тока, втягиваемого в систему компонентом нагрузки на силовой шине.

Влияние на стабильность мощности

Когда PDN возбуждается импульсом тока, результирующая характеристика переходного напряжения определяется с использованием обратного преобразования Фурье закона Ома:

Из закона Ома мы можем видеть, что любой переходный процесс Отклик по напряжению минимизируется только в том случае, если мы также можем минимизировать импеданс PDN в максимально широкой полосе пропускания.

Полученный сигнал может быть довольно сложным. Почему у нас вообще может быть временный ответ? Это связано с тем, что импеданс PDN отличен от нуля и имеет сложную резонансную структуру в частотной области, как показано ниже.

Зависимость между импедансом PDN (слева) и колебаниями напряжения из-за импульса тока

Влияние на все остальные порты

Виден ток, потребляемый в PDN одним компонентом, и последующее нарушение переходного напряжения на PDN зеркалируется на все остальные порты PDN в соответствии с законом Кирхгофа о напряжении.В частности, ток, который втягивается в PDN, моделируется как всплеск напряжения, который генерируется индуктивностью в PDN. В результате переходное напряжение наблюдается на всех других портах шины питания, создавая проблемы со стабильностью питания в других областях печатной платы.

Переходное возмущение напряжения, создаваемое переключением на нагрузке 1, отражается на других нагрузках

Вышеприведенное уравнение для импеданса PDN определено для однопортового PDN. Реальные PDN имеют несколько портов, как показано на приведенной выше диаграмме питания. Чтобы определить импеданс реальной PDN, нам нужен способ связать импеданс PDN с физической схемой на печатной плате.

Расчет импеданса PDN

Хотя может показаться простым вычисление импеданса PDN, не существует единого уравнения, которое можно было бы использовать для расчета импеданса PDN в печатной плате на основе геометрии и свойств материала. Реальная структура любой PDN, даже в простых случаях со смежными плоскостями, слишком сложна, чтобы допускать решения в замкнутой форме, не являющиеся приближениями.Когда приходит время оценить конструктивную плату и убедиться в наличии низкого импеданса PDN, доступны два типа инструментов моделирования: решатели поля и имитаторы схем.

Роль решателей поля

Решатель поля не принимает во внимание какие-либо схемные характеристики паразитных сигналов в PDN. Вместо этого решатель поля устанавливает граничные условия для электромагнитного поля и решает уравнения Максвелла напрямую. На основе этих результатов можно рассчитать матрицу Z-параметров для структуры PDN, которая расскажет вам все, что вам нужно знать об импедансе, возможно, многопортовой PDN:

• Самоимпеданс: Это может также называть характеристическим сопротивлением.Это измеряет нарушение питания, наблюдаемое в порту в PDN из-за потребления тока в том же порту.
• Передаточный импеданс: это импеданс, который определяет, как ток, подаваемый на один порт, создает возмущение напряжения на всех других портах в PDN.

Поскольку реальные PDN имеют несколько выходов на шине питания, правильная формулировка импеданса PDN в терминах матрицы импеданса с использованием Z-параметров:

Определение импеданса PDN в терминах матрицы Z-параметров для сети с N портами.Диагональный термин — это собственный импеданс для каждого порта в сети, а недиагональные члены — это передаточные импедансы

Приложение для расчета трехмерного электромагнитного поля, которое берет данные непосредственно из макета вашей печатной платы, может использоваться для решения этой проблемы и определения Матрица импеданса PDN показана выше. Этот тип моделирования — самый быстрый способ вычислить импеданс сложной PDN, возможно, с несколькими силовыми шинами и ответвлениями, но он громоздок, когда вам нужно спроектировать развязывающие сети для PDN.

Роль моделирования цепей

Из-за сложной природы реальной PDN моделирование цепей не может учитывать паразитные параметры при расчете импеданса PDN, если только они не размещены в качестве эквивалентных элементов схемы. Однако вы можете смоделировать спектр импеданса, созданный серией развязывающих конденсаторов, добавленных к PDN для обеспечения стабильного постоянного напряжения. С помощью механизма моделирования SPICE, встроенного в ваши инструменты проектирования схем, вы можете запускать развертку параметров в конденсаторной сети, которая включает паразитные индуктивности в моделях конденсаторов.Ваша цель — просмотреть различные значения и количество конденсаторов, чтобы определить наилучшее расположение конденсаторов, которое минимизирует импеданс PDN.

Если вам нужно рассчитать импеданс PDN в вашем проекте и рассчитать переходные характеристики в вашем физическом макете, используйте программное обеспечение внешнего проектирования от Cadence, чтобы создать свои принципиальные схемы и получить доступ к инструментам моделирования. Приложение PSpice Simulator включает в себя ряд функций моделирования схем, которые идеально подходят для продвинутой электроники с усовершенствованным механизмом SPICE.У вас будет полный набор инструментов для создания и моделирования цепей с разверткой параметров, моделирования целостности сигнала и многого другого.

Если вы хотите узнать больше о том, как Cadence предлагает вам решение, поговорите с нами и нашей командой экспертов.

— где сталкиваются миры SI / PI | 2020-11-23

Моделирование, измерения и анализ целостности сигналов и мощности (SI / PI) обычно находятся в двух разных мирах, но иногда эти миры сталкиваются. Одно такое столкновение происходит, когда мы говорим о характеристическом сопротивлении Z ₀ . Традиционно мир PI живет в частотной области, а мир SI живет во временной области.

При проектировании сети распределения электроэнергии (PDN) в мире PI мы в основном заинтересованы в разработке плоского импеданса ниже целевого импеданса от постоянного тока до самых высокочастотных составляющих переходного тока. Практически это достигается с помощью сети конденсаторов с разными номиналами, подключенных к соответствующим плоскостям питания, как показано на рис.1.

Рис. 1 Упрощенная модель типичного PDN [1].

В реальном мире идеального конденсатора не существует. Всегда есть паразитные элементы, известные как эквивалентная последовательная индуктивность (ESL) и эквивалентное последовательное сопротивление (ESR). Физические характеристики печатной платы, такие как индуктивность монтажа компонентов, индуктивность распространения плоскости, индуктивность переходных отверстий и шарика BGA, а также характеристики модуля регулятора напряжения (VRM) также влияют на профиль импеданса. Когда они соединены вместе, взаимодействие конденсаторов, паразитной индуктивности и сопротивления создает профиль передаточного импеданса с резонансными пиками и антирезонансными нулями, как показано на рис. 2.

Передаточное сопротивление между VRM и нагрузкой рассчитывается и отображается в виде графика. частотная область с логарифмической шкалой. Полученная кривая импеданса затем сравнивается с целевым импедансом (Z _target ), который оценивается на основе допустимой пульсации шума и максимального переходного тока.Плоский целевой импеданс не зависит от частоты при анализе.

Рис. 2 Профиль импеданса PDN, если смотреть со стороны контактных площадок на шине питания кристалла [1].

Резонансные пики возникают из-за ESL одного конденсатора, подключенного параллельно другому конденсатору. Антирезонансные нули возникают из-за последовательной комбинации ESR, ESL и C для каждого конденсатора. Разные номиналы конденсаторов будут иметь антирезонансные нули на разных частотах.

Но в мире PI редко говорят о характеристическом импедансе: Z ₀ .В данном случае это относится к среднему геометрическому значению реактивного сопротивления конденсатора (XC) и реактивного сопротивления катушки индуктивности (XL).

Уравнение 1

При резонансе XL и XC пересекаются по характеристическому импедансу и равны, как показано на рис. 3.

Рис. 3 График зависимости индуктивного и емкостного сопротивления идеальной катушки индуктивности и конденсатора от частота. В резонансе XL и XC равны и пересекаются при характеристическом сопротивлении Z ₀ .Моделируется с помощью Pathwave ADS [6].

Это очень важное наблюдение, и именно здесь сталкиваются миры SI / PI.

В мире СИ характеристический импеданс Z ₀ относится к мгновенному отношению напряжения к току волнового фронта, проходящего по однородной линии передачи без отражений. Для бесконечно длинной однородной линии передачи Z ₀ равно входному сопротивлению.

Характеристический импеданс линии передачи с потерями определяется как:

Уравнение 2

Где R — сопротивление на единицу длины; G — проводимость на единицу длины; L — индуктивность на единицу длины; и C — емкость на единицу длины.Для однородной линии передачи без потерь предполагается, что R и G равны нулю, и, таким образом, характеристический импеданс снижается до:

Уравнение 3

Рефлектометр во временной области

В мире SI мы обычно используем временную область рефлектометр (TDR) для измерения характеристического импеданса, но чаще всего измеренный импеданс, который мы получаем, не соответствует тому, что мы предсказали с помощью решателя 2D-поля. Многие решатели поля 2D, используемые в большинстве магазинов PCB FAB, рассчитывают только характеристический импеданс без потерь геометрии поперечного сечения на одной частоте, определяемой диэлектрической проницаемостью ( D _k ). Он не имеет входных данных для удельного сопротивления проводника, диэлектрических потерь или длины проводника (ов).

Итак, проблема заключается в следующем: мы проектируем стек, затем проводим анализ моделирования SI на основе параметров пакета и согласованного характеристического импеданса. Но мастерская PCB FAB часто регулирует ширину (ы) линии сверх нормального изменения процесса, так что при измерении импеданс будет находиться в пределах указанного допуска, обычно +/- 10 процентов.

Отчасти проблема заключается в методе измерения.Большинство магазинов PCB FAB следуют Руководству по методам испытаний IPC-TM-650 [2]. Но у него есть ограничения, потому что Z ₀ измерено является производным и не может быть измерено напрямую. Причина в том, что измерения включают в себя резистивные и диэлектрические потери, вплоть до точки, в которой происходит измерение на графике TDR.

Резистивные потери часто приводят к медленному монотонному росту профиля импеданса, показанного на примере графика TDR на рис. 4. IPC-TM-650 определяет зону измерения между 30-70%, чтобы избежать вызванного зондированием звона, влияющего на измерения.Большинство магазинов PCB FAB измеряют средний импеданс в этом диапазоне, обычно в центральной области.

В зависимости от ширины линии, толщины и коэффициента диэлектрического рассеяния ( D _f ) наклон монотонного подъема будет изменяться.

Рис. 4 Пример графика TDR, показывающий медленный монотонный рост импеданса из-за резистивных потерь и зоны измерения IPC-TM-650.

Проблема в том, что метод тестирования IPC-TM-650 последний раз обновлялся еще в 2004 году, когда чаще использовались более высокие диэлектрические потери, а также более широкая ширина линий и более толстая медная масса.Более высокий D _f имеет тенденцию компенсировать резистивные потери за счет сглаживания наклона, как показано на рис. 5.

В левом нижнем углу показан смоделированный график TDR с использованием диэлектрика с высокими потерями и D _f = 0,024 . Правая сторона имеет точно такие же геометрические свойства, за исключением D _f = 0,004. Среднее сопротивление, измеренное в точке 50 процентов, составляет 49,8 Ом на левой стороне против 51,4 Ом на правой стороне. Мы также подтверждаем более пологий уклон для материала с высокими потерями.

Фактический характеристический импеданс, предсказанный решателем поля Polar SI9000 2D [5] на рис. 5, составляет 49 Ом. Для материала с более высокими потерями измерение в зоне измерения прошло бы без проблем. Но для материала с меньшими потерями преобладают резистивные потери, и измерение в пределах зоны измерения даст на ~ 5 процентов более высокое значение импеданса по сравнению с материалом с более высокими потерями. Правильная точка измерения для Z ₀ фактически является начальным падением, эквивалентным предсказанию решателя поля.В зависимости от указанного допуска это может повлиять на урожайность и стоимость.

Рис. 5 Предсказание характеристического импеданса с помощью решателя поля Polar SI9000 2D [5] (вверху). Смоделированные 2-дюймовые графики TDR с использованием диэлектрика с высокими потерями (внизу слева) и диэлектрика с низкими потерями с точно такой же геометрией (внизу справа). Более высокое значение Df компенсирует более высокие резистивные потери, тем самым сглаживая кривую. Моделируется с помощью Pathwave ADS [6].

Сегодня, когда стремятся к снижению диэлектрических потерь и уменьшению ширины линий с использованием более тонких медных гирь, измерение истинного характеристического импеданса линии передачи с использованием TDR становится более сложной задачей.Это тем более верно при измерении дифференциального импеданса, потому что изменение геометрии пространства ширины линии может иметь более сильное влияние на измеряемый дифференциальный импеданс.

Используя в качестве примера сборку первого изделия новой конструкции, давайте предположим, что правильное характеристическое сопротивление, измеренное в начале медленного монотонного роста графика TDR, находится на верхнем конце номинального допуска +10 процентов. Допустим, 54 Ом. Но из-за низких диэлектрических потерь и высоких резистивных потерь измерение TDR в средней точке теперь показывает на 5% больше при 57 Ом.Это означало бы, что импеданс теперь не соответствует спецификации по сравнению с номиналом, и плата будет списана.

Затем мастерская по производству печатных плат вернется и соответствующим образом отрегулирует ширину линии для следующей сборки, чтобы привести измерения в пределах диапазона к их настройкам измерения. Это эффективно снижает истинное номинальное характеристическое сопротивление!

Если последующие производственные изменения подталкивают измеренный импеданс в пределах зоны измерения к нижнему пределу допуска -10 процентов, скажем, 44 Ом, то истинное характеристическое сопротивление, измеренное при начальном провале, будет на 5 процентов ниже при 42 Ом. и быть вне спецификации.Но плата пройдет успешно, потому что она была измерена в соответствии с методом тестирования IPC-TM-650.

Измерение двухпортовых шунтов

Но что, если бы был другой способ? Что, если бы мы могли позаимствовать методы измерения импеданса из мира PI, чтобы определить истинное характеристическое сопротивление линии передачи в мире SI? Что ж, есть. Откройте для себя двухпортовый шунтирующий метод измерения.

Например, в мире PI для измерения ESL и ESR конденсатора микросхемы, тестируемого устройства (DUT) часто используется двухпортовое шунтирующее измерение.Это очень похоже на метод измерения по 4 точкам Кельвина, используемый для измерения очень низкого сопротивления постоянному току.

Измерение 2-портового шунта обычно выполняется с помощью 2-портового векторного анализатора цепей (ВАЦ). Порт 1 векторного анализатора цепей отправляет калиброванный сигнал, а порт 2 измеряет сигнал напряжения на тестируемом устройстве. Часто изолирующий трансформатор также используется для разрыва внутреннего контура заземления при измерении сверхнизкого импеданса [3].

После того, как измерения будут завершены и S-параметры сохранены в формате пробного камня, дальнейший анализ может быть выполнен в вашем любимом симуляторе SPICE.На рис. 6 представлена ​​общая схема с использованием популярной системы Pathwave ADS [5], которую можно использовать для анализа двухпортовых шунтов.

Когда порт 1 и порт 2 подключены к порту 1 DUT, а порт 2 DUT заземлен, импеданс DUT можно определить по [3];

Уравнение 4

Рис. 6 Общая схема Pathwave ADS [6], используемая для анализа двухпортовых шунтов в файле S2P для DUT.

Если мы заменим ИУ на рис. 6 конденсатором и катушкой индуктивности, мы получим график импеданса, показанный на рис.7. Как мы видели ранее, когда мы берем среднее геометрическое индуктивного и емкостного реактивных сопротивлений, используя уравнение 1, мы получаем характеристический импеданс. Если мы применим уравнение 4 к результатам измерения конденсатора и катушки индуктивности с помощью двухпортового шунта, мы получим точно такие же результаты, как показано в верхней части рис. 7.

Когда мы заменяем конденсатор и катушку индуктивности на S- файла параметров модели линии передачи из рис. 5, мы получаем график, показанный в нижней части рис. 7. За исключением резонансных нулей и пиков, до определенной частоты, полное сопротивление линии передачи выглядит как полное сопротивление конденсатор, когда дальний конец открыт, и выглядит как полное сопротивление катушки индуктивности, когда дальний конец закорочен.И именно поэтому здесь сталкиваются два мира!

Если мы возьмем среднее геометрическое импеданса, когда дальний конец разомкнут (Z _{разомкнут} ) или закорочен (Z _{короткий} ), мы получим характеристический импеданс на этой частоте. Отметим, где в первую очередь пересекаются красная и синяя линии импеданса, это в точности среднее геометрическое характеристическое сопротивление на этой частоте.

Также стоит отметить, что линии пересекаются на половине частоты между пиками и впадинами на более высоких частотах.

Рисунок 7 Импеданс индуктивного и емкостного реактивного сопротивления в зависимости от частоты (вверху) и импеданса линии передачи в зависимости от частоты (внизу), когда дальний конец открыт (сплошной красный) по сравнению с тем, когда дальний конец открыт. закорочен (сплошной синий). Пересечение красной и синей линий и есть характеристический импеданс. Моделируется с помощью Pathwave ADS [5].

Видео: Основы PDN для проектировщиков электропитания (часть 1): Что такое PDN?

Easy PDN Tool (TY-PDN Tool) ｜ Информация о продукте ｜ TAIYO YUDEN CO., ООО

МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ И ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ

Следующие меры предосторожности применяются к программному обеспечению, программе установки и данным (далее совместно именуемые «Программное обеспечение»), предоставленным TAIYO YUDEN CO., LTD. (далее именуемые «ТАЙО ЮДЭН»).

1. Перед использованием Программного обеспечения вы должны согласиться с Лицензионным соглашением по программному обеспечению, отдельно предоставленным TAIYO YUDEN.
2. Программное обеспечение не гарантирует характеристик продукции TAIYO YUDEN.
3. Характеристики, представленные в Программном обеспечении, могут отличаться от данных, приведенных в каталогах или спецификациях. Обратите внимание, что характеристики детали могут отличаться в зависимости от среды установки или условий измерения. Поэтому данные, содержащиеся в Программном обеспечении, должны использоваться в качестве справки для определения фактических характеристик продукта. Если у вас есть какие-либо вопросы по поводу отображаемых данных, свяжитесь с TAIYO YUDEN.
4. Вы несете ответственность за тестирование продуктов TAIYO YUDEN перед их внедрением в свой продукт, не полагаясь чрезмерно на Программное обеспечение.Рекомендуется запрашивать спецификации доставки, содержащие более подробные характеристики и спецификации для правильного и безопасного использования продуктов TAIYO YUDEN. Свяжитесь с ближайшим к вам офисом продаж TAIYO YUDEN, чтобы запросить спецификации доставки.
5. Программное обеспечение может быть добавлено, удалено или изменено без предварительного уведомления. Перед использованием проверьте последнюю информацию.
6. Используя Программное обеспечение, TAIYO YUDEN не дает никаких гарантий, не передает и не предоставляет никаких лицензий на свои права интеллектуальной собственности и права третьих лиц или любые другие права.
7. TAIYO YUDEN не дает никаких гарантий в отношении Программного обеспечения, явных или подразумеваемых, включая функциональность, полноту, точность (без дефектов), пригодность для какой-либо конкретной цели, отсутствие ошибок и невключение компьютерных вирусов или другое вредное вещество.
8. TAIYO YUDEN не несет ответственности за любой ущерб (включая нарушение прав третьих лиц), вызванный установкой Программного обеспечения.TAIYO YUDEN также не несет ответственности за любой ущерб, причиненный загрузкой Программного обеспечения.
9. Воспроизведение всего или части Программного обеспечения без письменного согласия TAIYO YUDEN запрещено.

ЛИЦЕНЗИОННОЕ СОГЛАШЕНИЕ НА ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ

TAIYO YUDEN CO., LTD. (далее именуемое «TAIYO YUDEN») предоставляет вам лицензию на использование установленного программного обеспечения, предоставленного посредством загрузки или другим способом («Программное обеспечение») в соответствии с условиями ниже.Перед использованием Программного обеспечения вы должны безоговорочно согласиться с данным Лицензионным соглашением по программному обеспечению. Вы не должны использовать Программное обеспечение без согласия с Лицензионным соглашением по программному обеспечению. Начав использовать Программное обеспечение, вы («Лицензиат») соглашаетесь соблюдать положения и условия Лицензионного соглашения о программном обеспечении.

1. Предоставление лицензии
   1. TAIYO YUDEN предоставляет Лицензиату неисключительную лицензию на использование Программного обеспечения в соответствии с Лицензионным соглашением о программном обеспечении.
   2. Лицензиат может создать копию Программного обеспечения только с целью резервного копирования или хранения.
   3. В случае, если Лицензиат создал копию, Лицензиат должен отображать (i) Лицензионное соглашение по программному обеспечению и (ii) информацию об авторских правах, других правах собственности и отказе от ответственности таким же образом, как и исходное Программное обеспечение на любых воспроизведениях.
2. Владение правами
   Все права интеллектуальной собственности (включая авторские права, патенты, товарные знаки, ноу-хау и коммерческие секреты), относящиеся к Программному обеспечению, принадлежат TAIYO YUDEN или его Лицензиару.
3. Неразглашение
   Лицензиат не должен раскрывать или разглашать какую-либо часть Программного обеспечения третьим лицам.
4. Запрет
   1. Лицензиат не имеет права выполнять какие-либо действия с Программным обеспечением, кроме тех, которые указаны в разделе 1 Лицензионного соглашения о программном обеспечении.
   2. Лицензиат не имеет права выполнять следующие действия с Программным обеспечением.
      
      1. Любое изменение или изменение
      2. Дизассемблирование, декомпиляция или любое другое обратное проектирование
      3. Переуступка, передача, продажа, предоставление во временное пользование или иное распоряжение третьей стороной
      4. Залог
      5. Сублицензирование или любое действие, разрешающее использование третьим лицом.
   3. В случаях, когда Лицензиат причиняет ущерб TAIYO YUDEN, нарушая разделы 3, 4.1 и / или 4.2, вы несете ответственность за возмещение ущерба.
5. Гарантия
   1. TAIYO YUDEN не дает никаких гарантий в отношении Программного обеспечения (включая его правильную работу), явных или подразумеваемых, включая коммерческую выгоду, пригодность для какой-либо конкретной цели, отсутствие ошибок или вирусов или нарушение прав третьих лиц.
   2. TAIYO YUDEN не несет ответственности за повреждение (включая сбой ПК или оборудования, потерю, отключение или непреднамеренную утечку данных, изображений, музыки или любой другой информации), разногласия или претензии по возмещению ущерба, причиненного третьей стороной в результате или связанные с загрузкой или использованием Программного обеспечения, независимо от причины или типа повреждения.
   3. TAIYO YUDEN не предоставляет никакого обслуживания или поддержки для Программного обеспечения.
6. Срок действия лицензии
   1. Лицензионное соглашение на программное обеспечение вступает в силу в день загрузки или установки Программного обеспечения на оборудование Лицензиата и прекращает свое действие, когда Лицензиат прекращает его использование.
   2. TAIYO YUDEN может немедленно прекратить действие Лицензионного соглашения по программному обеспечению без уведомления или предварительного уведомления, если Лицензиат нарушает любое условие Лицензионного соглашения по программному обеспечению или нарушает авторские права TAIYO YUDEN или любые другие права. В этом случае TAIYO YUDEN может потребовать возмещения ущерба, причиненного нарушением Лицензиатом.
   3. После прекращения действия Лицензионного соглашения по программному обеспечению Лицензиат должен незамедлительно уничтожить Программное обеспечение, установленное на оборудовании Лицензиата.

СПЕЦИАЛЬНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

1. Информация о продукте в программном обеспечении, программе установки и данных (далее совместно именуемые «Программное обеспечение») указана на день загрузки. Все указанное здесь содержание может быть изменено без предварительного уведомления в связи с техническими улучшениями и т. Д. Поэтому, пожалуйста, внимательно проверьте последнюю информацию перед практическим применением или использованием продуктов TAIYO YUDEN CO., LTD (далее «ТАЙО ЮДЭН»). Обратите внимание, что TAIYO YUDEN не несет ответственности за какие-либо дефекты в продуктах или оборудовании, в состав которых входят такие продукты, которые вызваны условиями, отличными от тех, которые указаны в этом программном обеспечении или отдельных спецификациях.
2. Пожалуйста, свяжитесь с TAIYO YUDEN для получения более подробной информации о спецификациях продукта, так как индивидуальные спецификации доступны.
3. Пожалуйста, проведите валидацию и проверку продукции TAIYO YUDEN в фактическом состоянии монтажа и рабочих условиях перед коммерческой отправкой оборудования.
4. Все электронные компоненты или функциональные модули, перечисленные в Программном обеспечении, разработаны, спроектированы и предназначены для использования в общем электронном оборудовании (включая, помимо прочего, аудио-видео оборудование, оборудование для автоматизации делопроизводства, бытовые электроприборы, офисное оборудование, информационное и коммуникационное оборудование. , без ограничений мобильный телефон или ПК). Перед встраиванием компонентов или устройств TAIYO YUDEN в любое оборудование на местах, такое как транспортное оборудование (включая, помимо прочего, систему управления автомобильной трансмиссией, систему управления поездом и систему управления судном), оборудование светофоров, оборудование для предотвращения стихийных бедствий, медицинское оборудование , сетевое оборудование общего пользования (включая, помимо прочего, телефонную станцию, базовую станцию) и т. д.которые могут иметь прямое влияние на причинение вреда или травмы человеческому телу, пожалуйста, свяжитесь с TAIYO YUDEN заранее для получения более подробной информации. Не включайте продукцию TAIYO YUDEN в какое-либо оборудование, требующее высокого уровня безопасности и / или надежности (включая, помимо прочего, аэрокосмическое оборудование, авиационное оборудование, оборудование для контроля ядерной энергии, подводное оборудование, военное оборудование). Когда продукты TAIYO YUDEN используются даже в устройствах или схемах общего электронного оборудования, требующих высокой безопасности и / или надежности, настоятельно рекомендуется провести тщательную оценку безопасности перед использованием продуктов TAIYO YUDEN и при необходимости установить схему защиты.
5. Содержимое Программного обеспечения применимо к продуктам TAIYO YUDEN, которые приобретаются в наших офисах продаж или у официальных дистрибьюторов (так называемый «официальный канал продаж TAIYO YUDEN»). Это применимо только к продуктам TAIYO YUDEN, приобретенным в любом из официальных каналов продаж TAIYO YUDEN.
6. Обратите внимание, что TAIYO YUDEN не несет ответственности за какие-либо разногласия или споры, которые могут возникнуть в связи с правами на интеллектуальную собственность третьей стороны и другими смежными правами, возникающими в результате использования вами продуктов в Программном обеспечении.TAIYO YUDEN не предоставляет лицензии на такие права.
7. Предостережение при экспорте
   Для некоторых элементов Программного обеспечения могут потребоваться специальные процедуры для экспорта в соответствии с «Законом о валютном контроле и контроле за внешней торговлей» Японии, «Правилами экспортного контроля США» и другими применимыми нормативными актами. Если у вас есть какие-либо вопросы или запросы по этому поводу, пожалуйста, свяжитесь с нашим торговым персоналом.

Датчик тока HC-PDN | KOHSHIN ELECTRIC CORPORATION

• Номинальный ток: 5A – 50A
• Хорошо изолирован по европейским стандартам
• Превосходная шумостойкость
• Компактная конструкция с уменьшенной высотой

Инверторы, сервоприводы, станки с ЧПУ

Ta = 25 ℃

Примечание1）

Указанное остаточное напряжение — это напряжение после снятия гистерезиса сердечника.

Исследование болезненной диабетической периферической нейропатии у китайских амбулаторных пациентов (PDN-SCOPE): протокол многоцентрового поперечного регистра клинических характеристик и лечения в Китае

Введение

Диабетическая периферическая нейропатия (DPN) является одной из наиболее распространенных и изнурительных осложнения хронического диабета.1 2 Нейропатическая боль — частый симптом, приводящий к потере трудоспособности. Согласно субъективному опыту, у пациентов с подобной патологией наблюдаются заметные различия в описании симптомов.

Сообщаемая распространенность болезненной диабетической периферической нейропатии (ПДН) широко варьируется от 3,3% до 65,3% из-за различий в дизайне исследований, диагностических критериях и выборках3–10. Эпидемиологическое исследование PDN в Юго-Восточной Азии в 2016 г. показало низкий уровень Показатели скрининга, отражающие недостаточное внимание врачей к обезболиванию.11 Таким образом, PDN может быть занижена в Китае, в результате чего многие пациенты испытывают хроническую боль, которая ухудшает психическое здоровье, работу и общее качество жизни (QoL) .12 Действительно, PDN оказывает отрицательное влияние на физическое и психическое качество жизни по сравнению с безболезненной диабетической невропатией.2 12 13 Например, PDN часто сопровождается депрессией и тревогой. Боль при ДПН является более сильным предиктором депрессии, чем другие диабетические осложнения и сопутствующие заболевания. Недавний отчет также показал, что PDN является независимым фактором риска развития депрессии: у 44% пациентов с PDN наблюдаются симптомы депрессии по сравнению с 26% пациентов с безболезненным DPN и 10% пациентов с другим сахарным диабетом (DM) 14. , уменьшение боли за счет соответствующего лечения приводит к улучшению качества жизни, 15 предполагая, что контроль симптомов PDN может снизить частоту и тяжесть депрессии.В свою очередь, дефицит психического здоровья, связанный с PDN, может влиять на органическое заболевание, поскольку эффективное лечение антидепрессантами связано с улучшением гликемического контроля.16 Таким образом, текущие руководящие принципы рекомендуют рутинный скрининг депрессии у взрослых с диабетом.17

DPN также несет значительную экономическую нагрузку как для человека, так и для системы здравоохранения18. Несмотря на потенциальные физические, эмоциональные и социально-экономические последствия PDN, ни одно недавнее исследование не оценило структуру современной медицинской практики на национальном уровне в Китае.Такие периодические опросы имеют решающее значение с учетом демографических изменений (старение населения) и образа жизни. Хотя эффективность многих фармакологических агентов была доказана для лечения ПДН и связанных с ним расстройств настроения19, остаются существенные неудовлетворенные потребности в лечении симптомов20. Мы предполагаем, что существует значительный разрыв между соблюдением рекомендаций и реальной клинической практикой в ​​Китае. Поэтому мы разработали крупное общенациональное больничное исследование PDN в Китае (исследование болезненной диабетической периферической невропатии у китайских амбулаторных пациентов [PDN-SCOPE]) для оценки текущих клинических характеристик и методов лечения симптомов PDN, включая боль, а также частота, тяжесть и лечебный статус ассоциированной тревоги и депрессии.

Методы

Дизайн исследования

PDN-SCOPE будет многоцентровым перекрестным обследованием с участием более 50 больниц, расположенных в 23 провинциях, 5 автономных регионах и 4 муниципалитетах (все регионы, кроме Тайваня, Гонконга и Макао). Все участвующие медицинские учреждения будут зачислять участников исследования.

Набор субъектов проводится с 14 июня 2018 г. Протокол исследования будет независимо утвержден комитетами по этике всех участвующих больниц.Демографические данные, клиническая информация, тяжесть боли, тяжесть тревоги, тяжесть депрессии и принимаемые терапевтические препараты будут записаны, чтобы выявить отличительные особенности PDN в Китае. Будет проанализировано несоответствие текущим рекомендациям по лечению и различия в характеристиках пациентов между учреждениями.

Оценка размера выборки

В Китае существуют большие различия в медицинских ресурсах, клинической диагностике и уровнях лечения между разными регионами, что приведет к различиям в согласованности условий лечения с консенсусом или руководящими принципами в разных учреждениях.

В исследовании будет описано фактическое амбулаторное лечение PDN и несоответствующее употребление наркотиков (определенное как противоречие существующим руководствам). Мы предполагаем, что в 13 из 51 учреждения (около 25% всех учреждений) было несоответствие между клиническим лечением и рекомендациями руководств. Мы также предполагаем, что около 30% амбулаторных пациентов в этих 13 учреждениях получали лечение, которое не соответствовало рекомендованным руководящими принципами препаратам первой линии. В таких условиях для получения 5% -ной точности показателя несоответствия, что означает 95% -ный доверительный интервал между 25% и 35% (двусторонняя ширина 10%), данные о 341 пациенте должны быть собраны из этих 13 больниц.Таким образом, общий требуемый размер выборки составляет 341 деление на 0,25, то есть 1364. Учитывая возможные выбывания центров и различия в соблюдении требований в разных центрах, мы увеличили требуемый размер выборки на 10%. Таким образом, будет набрано около 1500 китайских пациентов с PDN. Требуемый размер выборки рассчитывается с помощью PASS V.14.

Отбор рекрута

Объекты исследования будут набираться с использованием многоуровневого метода выборки.

Первый уровень — это отбор медицинских учреждений (51), охватывающий все провинции и регионы, методом удобной выборки.Центры будут выбраны из представленных на региональном уровне больниц, которые будут готовы к участию в зависимости от размера больницы и степени приспособляемости участников.

Второй уровень — это отбор на уровне отделения (неврологическое и / или эндокринное отделения) методом удобной выборки в соответствии со степенью адаптивности участников.

Третий уровень — это выборка врачей амбулаторного профиля. Из каждого отделения будут выбраны от одного до трех врачей.В течение рабочих дней этих клиницистов производилась выборка четвертого уровня, которая составляла от половины до трех клиник еженедельно для каждого клинициста.

Для четвертого уровня выборки будут включены все пациенты, соответствующие критериям. Поскольку точного числа амбулаторных пациентов PDN нет, сбор данных будет проводиться путем корректировки фаз во время набора.

Такое же количество рабочих дней в каждом центре является предпосылкой для обеспечения репрезентативности выборочного учреждения для населения.Чтобы обеспечить выборку одинакового количества рабочих дней из каждого центра, задачи по зачислению разделены на три этапа и корректируются в соответствии с ходом набора на начальных пошаговых этапах. Первый этап — это вводный период, когда пациенты набираются медленнее. На первом этапе он продлится 1-2 недели, в течение которого каждый центр выберет 1,5 дня клиники в неделю, включая 1 день неврологической клиники и 0,5 дня эндокринологической клиники. Последующие фактические необходимые рабочие дни для отбора проб будут оценены на основе информации, полученной на первом этапе, которая в основном представляет собой информацию о среднем дневном количестве пациентов, отвечающих критериям отбора для каждого учреждения.На втором этапе скорость сбора доводится до трех клинических дней в неделю, включая два дня в неврологической клинике и один день в эндокринологической клинике. На третьем этапе, до тех пор, пока не будет собрано 1200 случаев, организация последующих дней клиники будет скорректирована в соответствии с фактическим количеством завершенных в каждом центре, таким образом обеспечив баланс дня клиники. Центры с большим количеством амбулаторных дней набора замедлят набор или закончатся раньше. Количество дней приема в амбулаторное отделение увеличится в больницах, которые не соблюдают график.

Набор практикующих

Пакеты, содержащие информационное заявление, форму согласия протокола исследовательского проекта, будут отправлены по почте во все центры. Каждый центр получит задания в соответствии с заранее установленной процедурой набора сотрудников. Все местные врачи получат протокол и пройдут обучение у полевых работников или на сетевых конференциях. Местных врачей попросят заполнить электронную форму истории болезни (eCRF), в которой будут оцениваться тяжесть боли и эмоциональный статус каждого участника, а также соответствующие факторы риска.Чтобы способствовать активному вовлечению участников и местных исследователей, опрос был разработан таким образом, чтобы его можно было заполнить менее чем за 10 минут. После объяснения протоколов и целей исследования от всех включенных пациентов будет получено подписанное информированное согласие. Сбор необходимой информации будет проводиться исследователями и / или научными сотрудниками. Все данные будут собираться с помощью eCRF и онлайн-системы электронного сбора данных (EDC). Составители реестра несут ответственность за ввод и стандартизацию данных.Мы поделимся идентифицированными данными с другими, когда исследование будет завершено и результаты будут опубликованы.

Пилотирование процедур

Группа специалистов будет отвечать за сбор данных, обеспечивая конфиденциальность информации посредством электронного мониторинга. Это будет сделано для обеспечения стандартизации методов исследования на разных участках. Исходные данные будут кодифицированы, как описано ниже, и введены в базу данных. База данных будет тщательно контролироваться на предмет отсутствующих и избыточных данных.Логические проверки и проверка числового диапазона будут проводиться как автоматически, так и вручную. Процессы управления данными включают ввод данных, отправку данных, генерацию запроса, ответ на запрос соответствующего исследователя, обратную связь и разрешение запроса. Медицинское кодирование будет соответствовать Медицинскому словарю по нормативной деятельности и расширенному словарю ВОЗ по лекарственным средствам.

Участники

Право на участие

Критерии включения

• Восемнадцати лет и старше.

• Определенный диагноз сахарного диабета 1 или 2 типа.

• Симптомы, признаки и / или электрофизиологические доказательства ДПН.

• Жалобы на спонтанную боль (постоянные или периодические уколы иглой, боль, подобную электрошоку, жгучую боль и т. Д.) Или индуцированную боль (гиперчувствительность, сенсорная инверсия).

• Боль продолжительностью не менее 3 месяцев.

• Подписанное информированное согласие.

Критерии исключения

• Недиабетическая нейропатическая боль, ненейропатическая боль или смешанная боль, например, от шеи / поясничного отдела позвоночника, дегенеративного заболевания, артрита, компрессии нервных корешков, паранеопластического синдрома, цереброваскулярных заболеваний, заболеваний спинного мозга или другие периферические невропатии (иммунные, токсические и пищевые невропатии и т. д.).

• Деменция, злоупотребление психоактивными веществами или другие состояния, серьезно ухудшающие когнитивные и коммуникативные навыки.

Процедура набора

Участие пациентов и общественности

Пациенты не участвовали в разработке исследования и не участвовали в разработке вопросов или результатов исследования. Шкалы, используемые в этом исследовании, составлены самими участниками. Если есть трудности с чтением или пониманием, исследователи или научные сотрудники прочитают им вопросы и помогут заполнить анкеты.Во всех других аспектах пациенты не будут участвовать в наборе и проведении исследования. Кроме того, для популяризации всем участвующим исследователям будет предоставлено резюме результатов.

Переменные

Демографические данные

Возраст участников, пол, рост, вес, индекс массы тела, история курения и употребления алкоголя, а также дата рождения, этническая принадлежность, семейное положение, код карты амбулаторной клиники, номера телефона и мобильного телефона, а также адрес будет записан.

Информация о сахарном диабете

Исследователи соберут как можно больше информации о DM и DPN, включая продолжительность, типы и даты диагнозов.Регистрируемые лабораторные показатели — это уровни глюкозы в плазме натощак, глюкозы в плазме через 2 часа после еды и уровни гликозилированного гемоглобина (HbA1c).

Связанный анамнез хронических заболеваний

Участников спросят, были ли у них когда-либо диагностированы гипертония, гиперхолестеринемия, гипертриглицеридемия, нефропатия, ретинопатия, сердечно-сосудистые заболевания, заболевания сосудов головного мозга, заболевания периферических сосудов, депрессия или тревожность. Если есть определенные коморбидные заболевания, исследователи записывают диагностическую информацию.

Будут регистрироваться известные факторы риска PDN, включая тип диабета, церебральные сосудистые нарушения, продолжительность диабета более 10 лет, гипертензию, нефропатию, ретинопатию, тяжесть невропатии, депрессию, тревогу, глюкозурию, гипергликемию, ожирение, HbA1C, высокий уровень холестерин липопротеинов плотности (ХС-ЛПВП), триглицериды и несколько полиморфизмов генов.21 Электронная оценка риска для здоровья будет запрограммирована таким образом, чтобы можно было адаптировать ее к потенциалу каждого участника и существующим факторам риска, таким как другие истории болезни.

Оценка нейропатической боли

Опросник Douleur Neuropathique 4

Опросник Douleur Neuropathique 4 (DN4) будет использоваться для оценки тяжести невропатических симптомов22. DN4 включает семь пунктов шкалы самооценки и три пункта клинического обследования. DN4 успешно зарекомендовал себя, был проверен и переведен на несколько языков. Сообщенные чувствительность и специфичность были аналогичными для образцов определенных случаев нейропатической и ненейропатической боли.22–29 DN4 был проверен в качестве инструмента скрининга нейропатической боли при болезненной диабетической полинейропатии.30 Процесс оценки прост, общий балл ≥4 указывает на невропатическую боль.

Визуальная аналоговая шкала / оценка

Визуальная аналоговая шкала (ВАШ) — это шкала субъективных психометрических реакций, используемая для измерения различных поведенческих или физиологических явлений на основе линейного числового градиента или альтернативных ответов да / нет. Для ВАШ боли субъекты будут отмечать тяжесть боли на линии 10 см, где «0» на одном конце указывает на отсутствие боли, а «10» на другом конце указывает на самую сильную боль, которую только можно вообразить.31 Как правило, отметка ниже 3 указывает на то, что пациент страдает от легкой боли, влияющей на сон, но которую можно терпеть, тогда как отметка 7–10 указывает на сильную боль, влияющую на аппетит и сон.

Текущий депрессивный статус

Депрессия будет оцениваться с помощью вопросника о состоянии здоровья пациента из девяти пунктов (PHQ-9) .32 Этот инструмент использовался в учреждении первичной медико-санитарной помощи, и оценки показывают сильную корреляцию с функциональным статусом (SF) — 20 баллов.33 Участники будут считаться подверженными риску депрессии, если у них будет оценка PHQ-9 ≥10, с лучшей диагностической эффективностью для целей скрининга.34

Текущий статус тревожности

7-позиционная шкала генерализованного тревожного расстройства (GAD-7) показала хорошую надежность, а также критериальную, конструктивную, факторную и процедурную валидность. Была определена точка отсечения 5 с оптимизированной чувствительностью (89%) и специфичностью (82%). Сообщается также о хорошем согласии между версиями шкалы, составленной самоотчетом и шкалой, которую назначают интервьюеры35.

Лекарства

Все лекарства будут регистрироваться исследователями в eCRF и загружаться в систему EDC.Регистрируются фармакологические агенты, принимаемые в максимальной дозировке и в течение длительного времени, включая прекращенные препараты.

Статистические соображения

Характеристики согласных и несогласных людей с PDN будут сравниваться для оценки систематической ошибки согласия, чтобы более точно доказать репрезентативность этой популяции.

Категориальные переменные, включая уровень согласия (число, процент и 95% доверительный интервал), будут рассчитываться и сравниваться с помощью теста Пирсона χ ² .Возраст, история болезни и другие непрерывные данные будут выражены как среднее значение и стандартное отклонение. Пол, этническая принадлежность, семейное положение, тип диабета (тип I или тип II), распространенность сопутствующих заболеваний, фенотип боли и другие категориальные данные будут выражены как частота и процент. На основе теста на нормальность оценки VAS, оценки PHQ-9 и GAD-7 будут выражены как среднее значение и стандартное отклонение или медиана с диапазоном 25–75-го центиля, в зависимости от ситуации. Распределение степени тяжести боли, тревоги и депрессии будет записано и сравнено между демографическими и клиническими подгруппами.Будут описаны типы и распространение лекарств, используемых для снятия боли. Будет регистрироваться доля пациентов, принимающих антидепрессанты / препараты против тревожности (%), и конкретные использованные антидепрессанты / анксиолитики.

Обсуждение

Исследование PDN-SCOPE соберет один из крупнейших китайских наборов данных о клинических характеристиках PDN и лекарствах, используемых в амбулаторных условиях. Дизайн минимизирует временную нагрузку, возлагаемую на отдельных исследователей, чтобы повысить уровень набора.PDN-SCOPE станет одним из первых исследований, в котором будет проведено сравнение практических реалий с рекомендациями и, таким образом, будет предоставлена ​​важная информация для будущих инициатив по обеспечению качества медицинской помощи.

Это исследование является новым в том смысле, что исследователи могут в качестве альтернативы выбрать мобильное приложение или систему сбора данных на основе веб-сайта. Поскольку технология сенсорных экранов становится все более доступной в виде компьютерных планшетов, iPad и смартфонов, вероятно, возрастет потенциал использования этих технологий при оценке состояния здоровья.

Ограничения

PDN-SCOPE использует схему наблюдения и поэтому не предоставляет информацию о причинно-следственных связях. Предубеждения часто встречаются при проведении поперечных исследований реестра. Участники могут быть менее однородными по клиническим характеристикам, чем население в целом. Как и во всех подобных исследованиях, данные могут быть недоступны или отсутствовать. Кроме того, комбинированные методы лечения могут широко варьироваться, поэтому количество пациентов в конкретных группах лечения может быть небольшим. Наконец, поскольку принцип исследования — не мешать клинической практике, все процедуры набора и детали будут сохранены в каждом центре.

Выводы

Китайские пациенты с PDN продемонстрировали уникальные клинические характеристики, поэтому необходимо провести крупномасштабное обследование для выявления потенциальных причин, связанных с местными методами лечения. Кроме того, мы ожидаем, что существует разрыв между лечением, используемым в повседневной клинической практике, и руководящими стандартами, по крайней мере, в некоторых учреждениях. Подробное описание клинических характеристик, демографии, сопутствующих заболеваний, факторов риска и профилей лечения пациентов с ПДН имеет решающее значение для разработки более эффективных стратегий лечения боли.Ожидается, что результаты PDN-SCOPE будут использоваться для руководства клинической практикой лечения боли PDN и связанных с ней тревожных состояний и депрессии в Китае.

На данный момент 26 участвующих больниц получили одобрение по этическим нормам. Конфиденциальность информации гарантируется за счет специального сбора информации (адрес ограничен улицей, без номера дома) и защиты имен в базе данных. Участники смогут отказаться от участия в исследовании в любое время, даже если они проходят опрос или проходят его.

Основы целостности сигнала и целостности питания при проектировании высокоскоростных печатных плат

В современном мире цифрового дизайна скорость почти всегда является основным фактором, определяющим производительность продукта. Каждая конструкция содержит от нескольких до многих высокоскоростных интерфейсов с достаточно высокими скоростями передачи сигналов, чтобы дорожки и расположение печатной платы (PCB) играли значительную роль в общей производительности системы.

Следовательно, целостность сигнала и проблемы целостности питания, как правило, являются основными причинами отказа устройства на различных этапах проектирования изделия.Инженер-проектировщик благоразумно уделяет особое внимание аналоговым характеристикам высокоскоростной конструкции печатной платы в дополнение к цифровым компонентам. Любое физическое явление, которое может увеличить временную неопределенность цифрового сигнала, должно быть учтено при проектировании.

В этой статье представлены основные концепции проектирования целостности сигнала (SI) и целостности питания (PI) в высокоскоростной печатной плате и даны практические советы по проектированию печатной платы.

SI достигается, когда реализованы четко определенные пути печатной платы.Эти пути позволяют доставлять сигналы от драйвера к приемнику с чистым фронтом в нужное время. Дизайн с плохим SI часто не соответствует требованиям по времени или джиттеру. В некоторых случаях плохой SI может также вызвать излучаемую эмиссию, превышающую допустимую. В худшем случае конструкция не работает.

Важные конструктивные соображения для достижения высокой скорости SI следующие:

На заре электроники SI не вызывала беспокойства из-за более низкой скорости фронта.По мере увеличения тактовой частоты и скорости сигнала время нарастания, следовательно, сокращается до точки, когда длина дорожек печатной платы имеет тот же порядок длины, что и скорости фронтов, проходящих через них. Для скорости передачи данных сигнала HDMI 1.4 2,97 Гбит / с критическая длина печатной платы составляет 2 мм. Таким образом, необходимо тщательно проанализировать линии передачи высокоскоростной печатной платы и их характеристические импедансы, задержки и потери. Такое поведение линии передачи является ключевым для определения того, как взаимодействуют подключенные компоненты. Чаще всего необходимо достичь полного сопротивления линии передачи 50 Ом.

Связь с производителями печатных плат определяет материал печатной платы, набор и идентификацию ширины дорожки / зазора в каждом слое для соответствия требуемому импедансу. В конструкции печатных плат используются два распространенных типа линий передачи: полосковые и микрополосковые. Полосковая линия имеет сигнальную дорожку, зажатую между двумя опорными плоскостями. Микрополосковая дорожка направлена ​​на внешний слой и имеет только одну опорную плоскость.Выбор между ними зависит от требований к скорости сигнала, сложности конструкции и схемы разветвления от микросхемы драйвера. Как правило, полосковая линия менее восприимчива к шуму, а микрополосковая линия обеспечивает более высокую скорость прохождения сигнала.

После того, как материал печатной платы, стек и тип линии передачи определены, разработчик должен решить, как маршрутизировать высокоскоростные сигналы. При рассмотрении трассы сигнала важно выбрать чистую и короткую трассу с ненарушенной базовой плоскостью под ней.Это позволяет току проходить к приемнику с постоянным сопротивлением и возвращаться к источнику по пути наименьшего импеданса, который является опорной плоскостью, непосредственно примыкающей к трассе сигнала. Общие проблемы обратного пути включают в себя (а) нарушение непрерывности в опорной плоскости и (б) когда маршрутизируемый сигнал меняет слои без опорной плоскости, которой следовало бы следовать ниже. Последствиями вышеупомянутых нарушенных обратных трактов являются отражения сигналов и звон.

Отражения сигнала и звон — прямые результаты плохой целостности сигнала. Драйвер, линия передачи и импеданс приемника — все это может привести к отражению сигнала. Если сигнал встречает изменение мгновенного импеданса печатной платы по мере распространения вниз, часть сигнала отразится обратно к своему источнику и вызовет искажение сигнала. Изменение этого мгновенного импеданса называется разрывом импеданса. Звон возникает при наличии множественных отражений из-за неоднородности импеданса.Если драйвер, межкомпонентная линия передачи и приемник имеют одинаковый импеданс, отражений или звона не будет. Следовательно, соответствие одинакового импеданса между компонентами и межсоединениями является ключом к уменьшению звона.

Перекрестные наводки являются результатом связи сигналов из-за емкостной и индуктивной природы дорожек печатной платы. Перекрестные помехи могут быть вызваны множеством сигналов, соединенных друг с другом из-за слишком близкой маршрутизации или слишком близкого расположения обратных трактов друг к другу.Перекрестные помехи можно свести к минимуму, если трассируемая трасса и обратный путь вдвое превышают ширину трассы от других трасс сигнала. Звонок также способствует возможности перекрестного разговора. Меньше звонков означает меньше перекрестных разговоров.

Необходимо учитывать топологию оконечной нагрузки, длину трасс, скорость распространения сигналов и форму трасс. Они не обсуждаются в этой статье.

Практические правила проектирования, которым необходимо следовать для поддержания SI:

• Определите все высокоскоростные сигналы при проектировании схемы.
• По возможности направьте сигналы с максимальной скоростью на верхний и нижний слои.
• Каждое высокоскоростное соединение должно рассматриваться как часть пары линий передачи — маршрутизироваться как дифференциальные пары 100 Ом или 90 Ом и несимметричные 50 Ом.
• Следите за тем, чтобы сигнальные дорожки находились на расстоянии одного диэлектрика от обратного пути. Любое отклонение от этого приведет к увеличению излучаемого излучения, ухудшению целостности сигнала и снижению помехоустойчивости.
• Всегда обеспечивайте надежную привязку к земле для сигналов высокой скорости.
• Избегайте неоднородностей обратного пути, таких как пустоты в базовой плоскости.
• Если высокоскоростные сигналы переходят между слоями и меняют опорные плоскости земли, то возвратные переходные отверстия должны быть размещены рядом с сигнальными переходными отверстиями.
• Дифференциальная маршрутизация — поддержание положительных и отрицательных трасс как можно более сбалансированными с точки зрения сигнала и его обратного пути — отвечает требованиям согласования длины внутри пары и между парами.
• Поддерживать правило> 2x ширины линии для межпарного интервала.
• Сохраняйте расстояние между линиями> 3x по ширине от других интерфейсов.
• Нет поворота под прямым углом, так как он увеличивает емкость кривой.
• Минимизируйте количество переходных отверстий (переходов между слоями) для высокоскоростных сигнальных дорожек.
• Уменьшите количество шлейфов вдоль трассы высокоскоростного сигнала, включая шлейфы от переходных отверстий.
• Защищайте высокоскоростные сигналы, убирая их от шумных сигналов, тактовых импульсов и импульсных источников питания.

Power Integrity Целостность достигается за счет обеспечения сети доставки питания (PDN) внутри системы, которая соответствует требуемым условиям питания процессоров и всех других компонентов.PDN представляет собой цепочку межсоединений в виде плоскостей передачи, которые доставляют мощность от модуля регулятора напряжения (VRM) через печатную плату, через корпус и через внутреннюю маршрутизацию к самим транзисторам.

PI представляет собой гораздо более сложную концепцию для визуализации по сравнению с SI. Это демонстрируется тем фактом, что существуют десятки и сотни узлов, подключенных к одной плоскости питания, и каждый узел влияет на общий импеданс в PDN, в то время как SI имеет дело только с драйвером и приемником.Проблемы PI сложно повторить и устранить. Таким образом, предлагается полное исследование PI на этапах проектирования печатной платы до и после макета. Хотя для полного анализа PI требуется продвинутый и обычно дорогостоящий инструмент моделирования PI, в этой статье кратко изложены основы проектирования.

Хорошая система PI в высокоскоростной цифровой схеме служит двум основным целям. Во-первых, он обеспечивает стабильные опорные напряжения (земля / обратный путь) для обмена сигналами. Во-вторых, он распределяет мощность по всем логическим устройствам с приемлемыми шумами и допусками, чтобы поддерживать постоянное напряжение на контактных площадках микросхемы.

Звучит просто, но при проектировании высокоскоростной печатной платы необходимо учесть несколько фактов. Во-первых, типичный процессор BGA обычно содержит сотни шаров питания и заземления, для которых требуются десятки напряжений источника питания. Во-вторых, все эти выводы питания потребляют много ампер тока. Следовательно, когда устройство работает, все эти выводы питания, потребляющие ток в амперах, одновременно нагружают все напряжения источника питания на высоких частотах.

Принимая во внимание вышеупомянутые факты, исследование PI больше не является просто анализом постоянного тока, но включает исследования переходной нагрузки на высоких частотах в каждой шине питания от VRM до контактной площадки IC.

1. Поведение плоскости передачи на высоких частотах

Как и в случае с линиями передачи SI, ключевым моментом в анализе PI является рассмотрение всех шин питания как плоскостей передачи и анализ их характеристических сопротивлений. Для достижения хорошей целостности питания желательно, чтобы сеть PDN имела как можно более низкий импеданс. Могут генерироваться высокочастотные переходные шумы, которые, если их не заметить, могут распространиться на всю плату.Основная проблема заключается в том, что все межсоединения PDN на печатной плате имеют индуктивную природу. Монтаж компонентов, дорожки на печатной плате, конденсаторы и переходные отверстия — все имеют индуктивность. Это говорит о том, что сопротивление увеличивается с увеличением переходной частоты. Поскольку VRM, конденсаторы, набор печатных плат, плоскость питания / заземления и ИС имеют разное характеристическое сопротивление на разных частотах, тщательный выбор компонентов и мест размещения — это способы уменьшить импеданс плоскости передачи.

Ниже показаны два рисунка, демонстрирующие индуктивный характер конденсатора на высоких частотах и ​​эквивалентную схему для типичного PDN.

На рис. 1 показан пример графика зависимости импеданса конденсатора 0603, X7R, 1 мкФ от частоты с использованием инструмента моделирования AVX SpiCap. Левая половина графика показывает, что емкость доминирует над характеристическим сопротивлением в диапазоне 0–22,5 МГц, а правая половина графика показывает, что индуктивность доминирует над характеристическим сопротивлением для частот выше 22,5 МГц.

Рисунок 1.Пример зависимости импеданса конденсатора 0603, X7R, 1 мкФ от частоты.

На фиг. 2 представлена ​​эквивалентная схема PDN, иллюстрирующая резистивную, емкостную и индуктивную природу каждого межсоединения одной и той же плоскости передачи. Все эти физические явления требуют тщательного изучения в рамках анализа PI.

2. Целевое сопротивление

В идеале мы хотим, чтобы полное сопротивление во всей плоскости передачи было как можно более низким.

Поскольку существует множество факторов, влияющих на импеданс, целевой импеданс необходимо рассчитывать отдельно и независимо для каждой шины напряжения для всех микросхем на плате. В каждой шине целевой импеданс может изменяться в зависимости от частоты из-за конкретных требований к току микросхемы.

Информация об импедансе и допустимом допуске для каждой шины, указанная в листе технических характеристик устройства, должна использоваться в качестве начальных ориентиров при определении целевого импеданса.

3.PDN Interconnects

Как уже было описано и показано на рисунке 2, PDN для конкретной плоскости передачи состоит из различных блоков межсоединений:

VRM -> объемные развязывающие конденсаторы -> переходные отверстия -> дорожки -> плоскости на печатной плате -> дополнительные развязывающие колпачки -> шарики припоя или выводы корпусов -> межсоединения в корпусах -> проводные соединения и межкомпонентные соединения на микросхемах.

Каждый соединительный блок вносит свой вклад в характеристический импеданс плоскости передачи.При анализе PDN важно сначала изучить каждую соединительную шину, а затем плоскость передачи, а затем в целом систему PDN.

Чтобы проиллюстрировать, как разные межсоединения PDN влияют на характеристический импеданс одной и той же плоскости передачи в разных полосах частот, в примере ниже используется ALTERA PDN Design Tool. Начните процесс проектирования с установки целевого импеданса на 12,3 МОм, а затем пройдите через каждое межсоединение PDN.

Примечание. Средство проектирования ALTERA PDN можно загрузить с действующей лицензией на программное обеспечение Quartus II, произведенной Altera Corp.

A. VRM (DC-10 кГц)

Низкочастотный импеданс в диапазоне от постоянного тока до 10 кГц устанавливается VRM. Выходной сигнал типичного VRM обычно составляет порядка mOHM от постоянного тока до 10 кГц.

Рисунок 3 Характеристический импеданс VRM

Практические советы, которые следует учитывать при компоновке печатной платы VRM:

• Увеличить толщину металла
• Используйте достаточно широкие силовые дорожки
• Используйте несколько параллельных переходных отверстий для питания и заземления

Б.Объемные конденсаторы (10 кГц — 100 кГц)

Конденсаторы большой емкости, добавленные параллельно к VRM, снижают импеданс в диапазоне от 10 кГц до 100 кГц.

Рисунок 4 Характеристическое сопротивление объемных конденсаторов

Практические советы по выбору правильных конденсаторов большой емкости:

• Значения конденсаторов большой емкости соответствуют эталонному проекту
• Следуйте рекомендациям по проектированию для оптимального размещения конденсаторов большой емкости

C. Керамические развязывающие конденсаторы (100 кГц — 10 МГц)

снижают импеданс плоскости передачи с 100 кГц до 10 МГц.Добавление развязывающих конденсаторов рядом с точками входа силовой площадки снижает индуктивность контура. Правильное расположение и выбор правильного количества и номинала разделительных конденсаторов играют важную роль на этом этапе.

Рисунок 5 Характеристическое сопротивление развязывающего конденсатора

Практические советы по выбору правильных разделительных конденсаторов:

• Технические характеристики конденсаторов, размеры корпуса и размещение в соответствии со спецификацией импеданса
• Уменьшение площади контура питания и заземления для уменьшения индуктивности контура

Д.Плоскости питания / заземления для печатных плат (10–100 МГц)

Очень близко расположенная схема питания и заземления улучшает характеристический импеданс PDN в диапазоне от 10 МГц до 100 МГц.

Рисунок 6 Характеристический импеданс плоскостей питания / заземления печатной платы

Практические советы по проектированию силовой / заземляющей пластины

• Плоскости питания и заземления должны быть как можно ближе друг к другу
• Разместите несколько переходных отверстий для питания и заземления

E.Переходные отверстия BGA, корпуса IC, емкость на кристалле (> 25 МГц)

Как правило, для частот выше 25 МГц в характеристическом импедансе преобладают переходные отверстия для шарика BGA, корпуса ИС и емкости на кристалле. Чтобы смоделировать это, требуется более продвинутый инструмент моделирования.

F. Прочие примечания по развязывающим крышкам и плоскостям питания / заземления

• Ток всегда идет по пути наименьшего сопротивления. На этих высоких частотах индуктивность контура PDN, номинал и размещение конденсаторов, прикрепленных к выводам питания, доминируют над импедансом.
• Конденсаторы локальной развязки следует размещать как можно ближе к выводам питания и заземления процессора. При использовании конденсаторов на задней стороне каждый конденсатор должен иметь свой собственный переходный канал непосредственно к заземляющему слою и слою силовой плоскости.
• Переходные отверстия и плоскости питания и земли должны располагаться как можно ближе друг к другу.

Практические правила проектирования для PI:

• Используйте пластины питания и заземления на соседних слоях с как можно более тонким диэлектриком.
• Используйте как можно более короткие и широкие поверхностные дорожки между контактными площадками развязывающего конденсатора и переходными отверстиями к скрытой плоскости питания / заземления.
• Разместите конденсаторы там, где у них будет наименьшая индуктивность контура.
• Используйте модель SPICE, чтобы выбрать оптимальное количество конденсаторов и их номиналы, чтобы профиль импеданса был ниже целевого импеданса.
• Конденсаторы локальной развязки должны быть размещены как можно ближе к выводам процессора.
• Сориентируйте конденсаторы для минимизации индуктивности контура.
• Поместите локальные переходные отверстия для обратного пути.

Заключение

При более высоких тактовых частотах и ​​скоростях сигналов в каждом цифровом проекте внимание к SI и PI имеет решающее значение при разработке хорошо работающего продукта. В этой статье описаны некоторые основные и фундаментальные соображения и практические советы, касающиеся достижения SI и PI. Хотя в этой статье SI и PI рассматриваются как отдельные темы, PI и SI тесно связаны, и их проблемы могут влиять друг на друга.Кроме того, высокоскоростная печатная плата, тщательно продуманная с учетом требований SI и PI, обычно имеет минимальные проблемы с электромагнитными помехами. Использование этих практических советов в этой статье позволит инженерам разработать успешный продукт.

Автор Крис Яо
Lantronix

О Крисе Яо

Крис Яо в ​​настоящее время является старшим инженером-проектировщиком оборудования в Lantronix, где он работает с инженерами-программистами и заказчиками над определением и разработкой передовых электронных продуктов.С тех пор, как он присоединился к Lantronix в 2014 году, он работал над решениями Qualcomm Snapdragon в различных проектах. Как член группы аппаратного обеспечения, он специализируется на высокоскоростном цифровом дизайне. До Lantronix Крис более 10 лет занимался разработкой аналоговых и цифровых продуктов.

Артикул:

• Высокоскоростной цифровой дизайн, Справочник по черной магии (Х. Джонсон, М. Грэм)
• Целостность сигналов и питания (Эрик Богатин)
• 80_VT310_13_Training_Power_Delivery_Network_Design (Qualcomm doc)
• Инструмент моделирования SpiCap (AVX)
• Инструмент проектирования PDN (Altera)